Ultradünner Quarzwafer für Halbleiter
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Ultradünner Quarzwafer für Halbleiter

Ultradünner Quarzwafer für Halbleiter

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Beschreibung

Ultradünner Quarzwafer für Halbleiterspezifikationen

 

Standardspezifikationen für 2/3/4/6/8/12 Zoll. Glaswaffeln

 

Parameter

Standardspezifikation

Materialien

Quarzglas (JGS1/JGS2/JGS3), Borofloat33, D263t, B270i,

Corning 7980, Corning Eagle XG usw.

Durchmesser

2", 3", 4", 6", 8", 12" und Quadrat

Dicke

0,1–3,0 mm

TTV

Standard < 10 µm, maximale Leistungsfähigkeit<1 um

Bogen

Standard < 60 um, maximale Leistungsfähigkeit<30 um

Kette

Standard < 60 um, maximale Leistungsfähigkeit<30 um

Oberfläche

DSP, SSP

Rauheit (Ra)

Standard Ra< 1nm, Maximum Capabilities <0.5nm

S/D

Standard 60/40, maximale Fähigkeiten 20/10

Bemerkung

Kundenspezifisch ist verfügbar

 

Ultradünner Quarzwafer für Halbleiterparameter

Physikalische Eigenschaften

Werte

Reinheit

>99.99%

Dichte

2,2 g/cm3

Transparenz

>90%

Mohs-Härte

5.5--6.5

Verformungspunkt

1280 Grad

Erweichungspunkt

1750 Grad

Glühpunkt

1250 Grad

Spezifische Wärme (20 - 350 Grad)

670J/kg. Grad

Wärmeleitfähigkeit (20 Grad)

1,4 W/m. Grad

Wärmeleitfähigkeit (w/mk, 1000 Grad)

1.0-1.2

Brechungsindex

1.4585

Wärmeausdehnungskoeffizient

5.5*10 -7cm/cm. Grad

Heiße - Arbeitstemperatur

1750–2050 Grad

Kurzfristige - Betriebstemperatur

1450 Grad

Langzeit-Betriebstemperatur -

1100 Grad

   

Chemische Eigenschaften

Werte

Säurebeständig

Starke Säure (außer HF), starkes Alkali, organische Lösung

Korrosionsbeständig bei hohen Temperaturen

Exzellent

Gehalt an Metallverunreinigungen

<5 ppm

   

Elektrische Eigenschaften

Werte

Widerstand

7*107Ω.cm

Isolationsstärke

250~400 kV/cm

Dielektrizitätskonstante

3.7~3.9

Dielektrischer Absorptionskoeffizient

<4*10-4

Dielektrischer Verlustkoeffizient

<1*10-4

   

Mechanische Eigenschaften

Werte

Druckfestigkeit

1100 MPa

Biegefestigkeit

67 MPa

Zugfestigkeit

48 MPa

Poissonzahl

0.14~0.17

Elastizitätsmodul

72000 MPa

Schermodul

31000 MPa

 

Ultradünner Quarzwafer für Halbleiteranwendungen

 

Optik

Mikro-elektrisches Feld

Halbleiter

Kommunikationstechnologie

 

Ultradünner Quarzwafer für Halbleiterfunktionen

 

Hochtemperaturbeständig

Hochdruckbeständig

Korrosionsbeständig (außer HF)

 

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