Ultradünner Quarzwafer für Halbleiter
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Beschreibung
Ultradünner Quarzwafer für Halbleiterspezifikationen
Standardspezifikationen für 2/3/4/6/8/12 Zoll. Glaswaffeln
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Parameter |
Standardspezifikation |
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Materialien |
Quarzglas (JGS1/JGS2/JGS3), Borofloat33, D263t, B270i, Corning 7980, Corning Eagle XG usw. |
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Durchmesser |
2", 3", 4", 6", 8", 12" und Quadrat |
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Dicke |
0,1–3,0 mm |
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TTV |
Standard < 10 µm, maximale Leistungsfähigkeit<1 um |
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Bogen |
Standard < 60 um, maximale Leistungsfähigkeit<30 um |
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Kette |
Standard < 60 um, maximale Leistungsfähigkeit<30 um |
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Oberfläche |
DSP, SSP |
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Rauheit (Ra) |
Standard Ra< 1nm, Maximum Capabilities <0.5nm |
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S/D |
Standard 60/40, maximale Fähigkeiten 20/10 |
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Bemerkung |
Kundenspezifisch ist verfügbar |
Ultradünner Quarzwafer für Halbleiterparameter
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Physikalische Eigenschaften |
Werte |
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Reinheit |
>99.99% |
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Dichte |
2,2 g/cm3 |
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Transparenz |
>90% |
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Mohs-Härte |
5.5--6.5 |
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Verformungspunkt |
1280 Grad |
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Erweichungspunkt |
1750 Grad |
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Glühpunkt |
1250 Grad |
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Spezifische Wärme (20 - 350 Grad) |
670J/kg. Grad |
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Wärmeleitfähigkeit (20 Grad) |
1,4 W/m. Grad |
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Wärmeleitfähigkeit (w/mk, 1000 Grad) |
1.0-1.2 |
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Brechungsindex |
1.4585 |
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Wärmeausdehnungskoeffizient |
5.5*10 -7cm/cm. Grad |
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Heiße - Arbeitstemperatur |
1750–2050 Grad |
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Kurzfristige - Betriebstemperatur |
1450 Grad |
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Langzeit-Betriebstemperatur - |
1100 Grad |
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Chemische Eigenschaften |
Werte |
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Säurebeständig |
Starke Säure (außer HF), starkes Alkali, organische Lösung |
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Korrosionsbeständig bei hohen Temperaturen |
Exzellent |
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Gehalt an Metallverunreinigungen |
<5 ppm |
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Elektrische Eigenschaften |
Werte |
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Widerstand |
7*107Ω.cm |
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Isolationsstärke |
250~400 kV/cm |
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Dielektrizitätskonstante |
3.7~3.9 |
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Dielektrischer Absorptionskoeffizient |
<4*10-4 |
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Dielektrischer Verlustkoeffizient |
<1*10-4 |
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Mechanische Eigenschaften |
Werte |
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Druckfestigkeit |
1100 MPa |
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Biegefestigkeit |
67 MPa |
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Zugfestigkeit |
48 MPa |
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Poissonzahl |
0.14~0.17 |
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Elastizitätsmodul |
72000 MPa |
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Schermodul |
31000 MPa |
Ultradünner Quarzwafer für Halbleiteranwendungen
Optik
Mikro-elektrisches Feld
Halbleiter
Kommunikationstechnologie
Ultradünner Quarzwafer für Halbleiterfunktionen
Hochtemperaturbeständig
Hochdruckbeständig
Korrosionsbeständig (außer HF)
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